70th Anniversary

國立台灣大學物理系學士畢業，國立清華大學材料工程研究所碩士，國立交通大學電子工程研究所博士。曾於洛克威爾科學中心(Rockwell International Science Center)擔任高速電子實驗室副主任，後至洛杉磯加州大學(UCLA)電機系擔任教授，現任國立交通大學校長。

張懋中1990年於美國洛克威爾科學中心高速電子實驗室與研究團隊完成異質結構雙極性高速電晶體(HBT)與其積體電路的研究與開發，成功量產後成為手機必備發射器元件，其研發砷化鎵功率放大器製成的手機信號發射器已超過100億台，成為舉世智慧型手機的首選，對產業界及學術界帶來跨時代貢獻。

張懋中對高速半導體元件和高頻無線及混合信號電路在通信、雷達、聯結、攝像等系統的研究及開發貢獻卓著，在基礎研究和實際應用領域是首屈一指的權威代表。

1971年畢業於國立臺灣大學物理系，1978年加州大學柏克萊分校物理博士，台大特聘研究講座教授，暨美國伊利諾大學香檳分校教授。2015年，以其在凝態物理領域及光電子發射能譜學之傑出研究，以及在VUV及X光應用研究的卓越貢獻榮獲Davisson-Germer獎（2015 Davisson-Germer Prize in Surface or Atomic Physics）。

多年來，江台章致力於凝聚態物理研究領域，做了許多開創性地工作，包括研究凝聚態物質的原子結構、電子態結構以及相關的各種物理性質。研究領域包括固體物理、晶體物理、金屬物理、半導體物理、電介質物理等。他還使用同步光電發射光譜、掃描隧道顯微鏡和分子束外延技術，以及研究不同的表面和介面系統產生的物理性質。此外，江台章還是證明單晶表面原子核心層的能級不同於固體內部原子的第一人，能夠利用同步輻射光源進行能量轉換與光電發射探測。他還開創了量子阱和超晶格的研究。目前，他在阿爾貢國家實驗室高級光子源和加州大學伯克利分校的先進光源做X射線散射和衍射和光電子能譜實驗。除了擁有大批實驗成果，他還是開發理論模型實驗結果的傑出理論家。

國立臺灣大學物理系學士、美國哥倫比亞大學物理碩士、博士，現任旺宏電子總經理與欣銓科技董事長。

盧志遠已發表超過400篇論文，擁有150餘項國際專利。他並獲任美國電機電子學會(IEEE)及美國物理學會(APS)院士，也膺選中華民國科技管理學會院士。盧志遠先生擔任IEEE電子元件期刊編輯長達15年，並曾獲頒2012 IEEE Frederik Philips Award、IEEE千禧傑出獎章、行政院傑出科學與技術人才獎、潘文淵文教基金會研究傑出獎、中華民國物理學會特殊貢獻獎、經濟部及中華民國全國商業總會頒予最佳商人之金商獎，以及獲選台大傑出校友、交大名譽博士、工研院院士以及總統科學獎等多項榮耀。